GAA 구조 활용해 전력·면적 줄고 성능 향상 산업통상자원부 세종청사 전경

[시사투데이 이윤지 기자] 삼성전자가 세계에서 처음 ​GAA(Gate-All-Around) ​기술을 적용한 3나노(1nm=10억분의 1m) 파운드리(반도체 위탁생산) 경쟁에서 한 발 앞선 행보를 보였다.

이창양 산업통상자원부 장관은 25일 삼성전자 화성캠퍼스에서 개최된 3나노 파운드리 양산 출하식에 참석했다.

파운드리는 반도체 설계 디자인을 전문으로 하는 기업으로부터 제조를 위탁받아 반도체를 생산하는 기업이다.

이번 3나노 반도체 양산 성과는 삼성전자가 타이완의 TSMC, 인텔 등 파운드리 경쟁사를 제치고 세계 최초로 달성한 것이다. 기존의 반도체 기술을 혁신적으로 개선한 GAA 구조를 활용해 기존 최신공정인 핀(fin) 구조 대비 전력과 면적은 각 50%, 35%씩 줄고 성능은 30% 향상시켰다는 점에서 기술적 의의가 높다.

국내 소부장 기업과 시스템반도체 기업들이 초미세 공정용 소재, 장비, 설계자산(IP) 등을 공동 개발한 점을 고려하면 한국 반도체 산업계가 공동으로 이룬 성과로 평가된다.

산업부 측은 "첨단 반도체 제조시설은 국가 안보자산이기 때문에 이번 3나노 반도체 양산 성공은 경제안보 차원에서도 의미가 크다"며 "앞으로 메모리반도체와 첨단 시스템반도체 생산기지로서 글로벌 반도체 공급망에 기여하는 대한민국의 위상이 한층 높아질 것으로 기대된다"고 했다.

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